wifi的辐射对身体危害大吗?_百度知道
wifi的辐射对身体危害大吗?
wifi的辐射对身体危害大吗?请详细一点，谢谢。
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放心好了.com/programs/view/HH_zwusiGQY/你看下这段视频就知道了？你见过被那信号射挂的吗.tudou，WIFI信号跟移动联通的信号性质是一样的.com/programs/view/HH_zwusiGQY/" target="_blank">http.tudou<a href="http://www！而且还比他们弱，辐射是有的！但对人体够不成威胁，移动联通的信号现在哪没有://www
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WiFi其实就是一个小的局域网，主要做数据传输。而作为一个无线设备，WiFi具有一个发射机，确实会对周围产生电磁辐射。目前没有会对人的身体产生伤害。
最常见的无线路由器，其工作功率在30—500毫瓦之间，比普通手机的功率小(约125毫瓦—2瓦)。相比手机，无线路由器等WiFi设备离使用者的距离要远得多，这使人们接受其辐射的功率密度要小得多。
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无线局域网产品的发射功率不能大于10mW。你说路由呢？ 所以。而手机在功率大的时候可以到1W多，辐射对健康有害，手机都可以使用了，但路由的辐射很小，可以忽略，现转载如下，由hbhwdm解答，我想应该是指辐射吧，我国无线电管理委员会的规定： 你所说的在身体有害？ 辐射的大小主要取决于路由发射功率的大小百度知道以前有此问题
一般正规厂家生产的无线路由器，出厂之前都要经过电磁兼容的相关检测，因此合格产品所产生的辐射可能对人体产生的危害基本可忽略。”
建议在家中安装无线路由器，除了要注意选择正规厂家的产品外，安装时还应注意远离床头，不使用的时候，最好关闭无线路由器电源，这样既可以把辐射降到最低，又可以节约用电。
一般有辐射是指对人体有伤害的电波，wifi也是利用电波，辐射会有的，但是很小，对身体几乎没有伤害，要是担心辐射伤害身体，那就离辐射源远一点。一般的家用电器都有辐射，但是这些这些辐射都很小，都被生产设计者控制在一定范围内，对成人几乎没有伤害。你要没有辐射那就不要使用电器。所以说不要担心wifi的辐射。除非你是孕妇或者是小孩子，如果这样的话，你就要做适当的防护，一般辐射比较大的电器有微波炉，电磁炉，电视，电脑等等。生在这样一个科技发达的社会，生活处处有辐射，有些需要注意，但有些不要太过敏感。最后强调一下答案：wifi有辐射，但不要过于担心，只要使用恰当，不会对身体产生伤害。
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人造金刚石沙轮片工作中产生的气味，对人身体有无危害？
人造金刚石沙轮片工作中产生的气味，对人身体有无危害？
提问者采纳
该是无害的，不含有害气体。金刚石的主要成分是碳60，你所说的气味应该就是金属的味道
提问者评价
太给力了，你的回答完美地解决了我的问题，非常感谢！
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出门在外也不愁稀释剂 对人体有哪些危害我是在节能灯厂做移印工作的,难免接触 油墨 稀释剂 等等 ,已经从事2年多了,听别人说这些对人体不好,想知道危害性有多大,长期接触会怎么样,因该怎样减少危害,
海贼a毝q瓪
　　油墨对身体的危害主要在肝脏,肾脏和呼吸器官.我在油墨厂多年我了解,生产不同的油墨对身体的危害不同,主要取决于你使用的溶剂及助剂,我现在在开着油墨厂,但我是从试验到出产品的第一个受害者,我在不断的解决、更新使用环保的溶剂,但市面上没有全部能够代替的产品,如果在我面前谁说有的话我要掌他嘴,我对工人的做法是两年一换,工作差的滚蛋,好的调换工作岗位,不然的话身体差的会很快出现相应的病症,即使身体好的对生育也有很大的影响,今天时间不多不与你多说,如果你要查有没有危害的话,你就查一下你所用的材料的成分、注意事项及仿范吧.　　减少危害的话,我建议你看看　　印刷油墨中常使用乙醇、异丙醇、丁醇、丙醇、丁酮、醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲苯、二甲苯等有机溶剂.虽然这些有机溶剂干燥后绝大部分都会消除,但是残留部分仍会对人体造成危害.特别是上墨面积较大、墨层较厚的印刷品,其残留溶剂较多,在使用过程中释放出的有毒物质污染空气、危害人们的健康.　　油墨污染的一大问题在于颜料.这些颜料颗粒很细小,吸附能力很强,其中含有铅、铬、镉、汞等重金属元素,均具有一定毒性.以铅为例,一页彩色报刊约含铅2000微克,铅是人体惟一不需要的微量元素,它性质稳定、不可降解、阻碍血细胞形成.当人体内的铅积累到一定程度,就会出现精神障碍、噩梦、失眠、头痛等慢性中毒症状,严重者乏力、食欲不振、恶心、腹胀、腹痛、腹泻等.铅还可通过血液进入脑组织,造成脑损伤.据研究,儿童对铅的吸收量比成人高出几倍,铅毒对儿童智力有较大影响.　　此外,印刷时使用大量含苯的稀释剂,带有毒性,刺激性气味较大,在使用时容易污染空气,长期吸入会影响大脑中枢神经,对人体健康造成极大的危害.
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【新朋友】请戳标题下方蓝色字体“磨聊磨聚”关注我们，即刻获悉史上最全面的资讯分享。【老朋友】请点击右上角，分享到朋友圈，与更多的朋友分享梁庆瑞1，2，宗艳民2，王希杰2，陈秀芳1，徐现刚1，胡小波1( 1． 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南． 山东天岳晶体材料有限公司，济南250111)摘要: 研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响。选取粒径均为W0.5 ～1μm、粒径分布和形貌不同的3 种金刚石微粉，配置3 种SiC 单晶片机械抛光液。通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌。使用原子力显微镜测试了SiC 晶片机械抛光后表面粗糙度。金刚石微粉的微观形貌越圆滑，粒径分布越集中，抛光后晶片的表面质量越好。金刚石微粉中单个颗粒的表面棱角有利于提高材料去除率。关键词: 碳化硅; 金刚石微粉; 机械抛光; 表面粗糙度 1 引言 作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 具有优异的物理、化学性质，具体表现为杰出的机械性能、高化学稳定性、高载流子迁移速率、高热导率、耐高温、耐腐蚀等特性，这些特点决定了SiC 在高功率、高温等极端条件下有着不可替代的重要作用。研究表明，晶片表面的有些加工缺陷( 划痕、凹坑等) 会对外延层的结构质量产生不良影响，因此SiC 晶片表面加工质量关系到相关器件工艺的成败，必须严格控制。 由于碳化硅材料的高硬度、高脆性的物理性质以及非常稳定的化学性质，使得高质量的表面加工十分困难。现阶段碳化硅晶片加工工艺需要通过切割、研磨、机械抛光( MP) 和化学机械抛光( CMP) 这一系列流程，才能最终产出合格的SiC 衬底［1］。研磨是为了去除多线切割后较深的线痕并且使晶片的平整度更高，由于一般使用铸铁盘，研磨后SiC 晶片表面粗糙度较大、损伤层较深［2］。王栋等人研究了研磨加工方式、磨料粒度、研磨压力对SiC 损伤层深度的影响，认为固结磨料研磨优于游离磨料研磨，SiC 研磨片表面损伤层深度与压力和磨料粒径呈正相关［3］。CMP 方法的原理是化学氧化作用与机械去除作用相结合，是目前较为通用的全局平面化精抛方法。Su 等人研究CMP 过程中，PH、粒径、浓度、氧化剂、转速、压力等因素对6H-SiC 去除率的影响［4］。Lee 等人研究了混合磨料抛光SiC 晶片，使用纳米金刚石微粉和SiO2颗粒混合的方法制备CMP 抛光液，可以有效提高SiC 进行CMP 的去除率［5］。潘章杰等人研究了酸性、碱性条件下对SiC 晶片进行CMP，对比了不同PH 下Si 面和C 面CMP 的去除率［6］。以上研究表明，由于SiC 材料硬度高且常温下不易与其他物质发生化学反应，导致衬底Si 面CMP 去除效率非常低( 100 ～ 500 nm/h) 。MP 作为研磨和CMP之间的工序，既要去除研磨损伤层，又要保证SiC 晶片表面获得较浅的MP 损伤层以便于CMP 去除，有着非常重要的承接作用。目前对于SiC 晶片研磨、CMP 均有较多研究，但对于MP 的研究较少。本文研究了金刚石微粉对SiC 晶片MP 后表面质量和去除率的影响。 2 实验 2.1 碳化硅机械抛光液的制备 将2.0 g 六偏磷酸钠溶解于2000 mL 去离子水中，在机械搅拌的条件下加入适量金刚石微粉。目前金刚石微粉制备工艺是金刚石单晶原料经轰暴冲击破碎后，逐级筛选出来的具有不规则外观形貌的颗粒体。对于本文选取的3 种相同粒度的金刚石微粉，在粒径分布和颗粒形貌方面均有较大差别。然后使用频率40Hz 的超声波分散作用30 min，即可获得均匀的金刚石机械抛光液。通过以上方法，将3 种金刚石颗粒配置成相同浓度的碳化硅机械抛光液，分别定义为样品1、样品2、样品3。 2.2 机械抛光实验 机械抛光采用的是表面晶向为［0001］的4H-SiC 研磨片，直径为76.2mm。机械抛光实验使用杭州智邦纳米有限公司生产的Nanopoli-100型抛光机，压力为3 psi，下盘转速60 r /min。使用聚氨酯抛光布，表面开有弧形槽。选用抛光样品为直径76.2 mm 的碳化硅研磨片，抛光前碳化硅研磨片表面粗糙度为61.2nm。采用激光粒度分析仪测试了金刚石微粉的粒度分布。采用扫描探针显微镜观察金刚石微粉的微观形貌，颗粒放大10000 倍，可以清楚直接的看到金刚石微粉的颗粒形貌。采用原子力显微镜( 扫描范围为10μm×10μm) 测试了抛光前以及3 种抛光液抛光后碳化硅晶片表面的粗糙度。采用精度的0.1mg 的电子天枰进行称重，计算出晶片的去除率。 3 结果与讨论3.1 金刚石微粉的粒径及表面形貌 图1 显示了三种W0.5～1μm 金刚石微粉样品的粒径分布，三种样品的平均粒径均为700 nm 左右。样品1、样品2 金刚石微粉粒径分布情况基本一致，颗粒分布较为集中，样品1 的粒径分布范围要略小于样品2; 样品3 粒径分布范围比样品1、样品2 要大，检测到的最大粒径达到2 μm，并且颗粒粒径分布最为分散。图2 为三种样品的SEM 照片。从图中可以看出样品1 微粉颗粒形状圆滑，棱角不明显，且粒径均匀性好。样品2、样品3 微粉颗粒形状为多边形，棱角鲜明。在SEM 的视野下，只有样品3 存在较大颗粒以及长条状颗粒( 图2c 中圆圈标注) ，与测试的粒径分布相符。由于抛光过程中以滚动切削为主，以上3 种不同形貌和粒径分布的金刚石微粉会产生不同的滚轧效果。3.2 金刚石微粉对抛光表面质量的影响 SiC 晶体经过多线切割后，切割片表面会产生切割损伤，如线痕、划伤等，通过研磨去除晶片表面的切割损伤层［7］。图3 为研磨后SiC 晶片表面AFM 形貌图，可以看出表面高低起伏，测试粗糙度较高( Ｒa = 61． 2nm) 。抛光SiC 磨料粒子使用的是金刚石微粉，由于抛光布对磨料的把持作用以及金刚石具有极高的硬度，金刚石微粉颗粒很难在抛光过程中粉碎，所以抛光质量随着原料使用时间增加不会有明显变化。不易粉碎的大粒径金刚石微粉颗粒在抛光过程中持续产生划痕，会导致粗糙度增加，且会在SiC 材料内部产生微裂纹损伤，甚至导致裂片。图4 为金刚石微粉颗粒与SiC 晶片滚动切削模型，在抛光过程中，颗粒嵌入晶片表面越深，就会导致晶片表面的损伤越深，抛光后晶片表面粗糙度与颗粒嵌入晶片表面深度成正比即［8］:Ｒa = kdw ( 1)其中k 为常数，dw为磨料平均嵌入晶片深度。经过机械抛光去除SiC 晶片硅面( 0001) 5 μm 后，相比研磨晶片，机械抛光后SiC 晶片表面粗糙度均大幅度降低。图5 为三种金刚石微粉机械抛光后SiC 片表面粗糙度数值，样品1 抛光后SiC 晶片粗糙度最低(Ｒa =0.742 nm) ，样品2 次之(Ｒa = 0.939nm) ，样品3 最高(Ｒa = 2.41 nm) 。图6 是机械抛光后SiC 晶片表面AFM 形貌图。使用样品1 抛光SiC 晶片，表面多为浅划痕损伤，深划痕损伤在测试范围内仅有两条; 使用样品2 抛光后，晶片表面多为粗深划痕密集交错，仅测试范围即可观察到六条深划痕; 使用样品3 进行抛光后，晶片表面呈砂眼状，划痕数目不可数。在抛光过程中荷载施加压力，SiC 晶片表面由于金刚石微粉颗粒滚动嵌入作用产生微裂纹，这种微裂纹首先产生在加工表面剪切应力最大的部位。滚轧出来的纵横交错的微小裂纹继续扩展，并且进一步脆性崩碎形成磨屑。根据公式( 1) ，样品1与样品2的微粉粒径分布情况基本一致，但微粉颗粒的微观形貌不同，样品1 微粉颗粒形状圆滑，样品2 微粉颗粒为棱角鲜明的多边形。在抛光过程中，认为可能由于样品1 微粉颗粒趋于球形，棱角不尖锐，相对样品2 造成的嵌入深度dw浅，所以粗糙度更低。样品2 与样品3 的金刚石微粉颗粒均为棱角分明的形貌，样品2 微粉颗粒的正态分布更为集中，而样品3 中存在长条状金刚石微粉颗粒，并且十分分散。在抛光过程中，晶片与抛光布之间均匀浸润着抛光液，通过微粉颗粒的嵌入SiC 晶片来去除材料。分析认为样品3 微粉颗粒不均匀，其中大颗粒的嵌入深度dw 更深且不易粉碎，会对晶片表面持续造成远深于晶片背景粗糙度的划痕，而小颗粒参与磨削较少，起不到降低粗糙度的作用，导致抛光后晶片表面呈砂眼状。因此金刚石微粉的颗粒形貌、粒度分布对SiC 晶片机械抛光的表面质量有较大影响。同样的粒径规格下，若要获得高质量的机械抛光表面，微粉颗粒需要外形圆滑，并且要求粒度正态分布高度集中。 3.3 金刚石颗粒形貌对SiC 晶片去除率的影响 游离磨料表面加工过程中，磨料颗粒的切削作用一般分为两种情况: 一种是滑动切削，即磨料颗粒嵌入抛光器中固定下来，从而与被加工材料表面发生相对滑动的切削方式; 另一种是滚动切削，即磨料颗粒在被加工表面持续滚动作用的切削方式。在MP 过程中，抛光盘面贴有质软的抛光布。由于抛光布的弹性性质，磨料颗粒不易固定，因此主要以三体滚动切削的方式进行材料去除。 如图4 所示，在抛光过程中，并非所有的磨料颗粒都能参与到抛光过程中。大粒径磨料颗粒首先嵌入到晶片表面，嵌入深度用dw表示，小粒径磨料颗粒则接触不到晶片，导致实际参与到抛光的磨料颗粒数量减少。李淑娟等人研究了SiC 晶片研磨过程中的去除机理，并建立了SiC 单晶材料临界切削深度模型及塑性模式下的材料去除率模型［9］，材料的去除率可以表示为:MＲＲm = ρNV ( 2)其中ρ 代表晶片材料的密度，N 代表参与抛光有效磨粒的数量，V 代表单个磨料颗粒在单位时间内去除材料的体积。 将去除率转化为厚度去除用MＲＲ 表示，则:MＲＲ = MＲＲm /( ρA0) = NV /A0( 3)其中A0代表外观接触体积。由公式( 3) 可知晶片厚度去除率与参与抛光有效磨料颗粒数量N 以及单个磨料颗粒在单位时间内去除材料的体积V 成正比。相同浓度下，磨料颗粒的均匀性越好，无接触数量越少，则N 值越大。磨料颗粒形状棱角越鲜明，使得滚动磨削过程中单位时间内撞击材料表面次数越多，则V 值越大。 图7为三种样品机械抛光去除率情况，在相同的工艺条件下，样品2的去除率最高( 3.62nm/min) ，样品1 的去除率次之( 27． 1 nm/min) ，样品3 最低( 24． 8 nm/min) 。研究认为抛光液中磨料颗粒的大小、浓度、分布、形状对材料的去除率均有影响［10］。由于三种样品金刚石微粉的平均粒径相似，浓度相同，重点分析金刚石微粉微观形貌和粒径分布对晶片去除率的影响。根据公式( 3) ，由于样品2 微粉颗粒的棱角比样品1鲜明，在抛光过程中对SiC 晶片表面局部作用力更大，且单位时间内微粉颗粒棱角与晶片表面的冲击次数多，去除率更快。三个样品中，样品3 的粒径分布最为分散，粒径分布范围最大。单个大尺寸金刚石微粉颗粒的机械作用强，但单位体积内大颗粒数目少，并且大尺寸颗粒会降低小尺寸颗粒参与磨削的几率，以上两个因素降低了样品3 中参与磨削的微粉颗粒的数目，所以样品3 的材料去除率低于样品2。3.4 化学机械抛光后观察SiC 晶片表面 将3 种样品MP 后的SiC 晶片进行Si 面( 0001)化学机械抛光，单面去除1μm。图8 为SiC 晶片CMP 后粗糙度数值，样品1、2机械抛光的SiC 晶片，经化学机械抛光后粗糙度分别为0.0901 nm、0.0855 nm，均小于0.1 nm，满足SiC 晶片外延使用要求。样品3 机械抛光的SiC 晶片，经化学机械抛光后粗糙度为0.481 nm，粗糙度明显偏大。图9 为CMP 后SiC 晶片表面AFM 形貌图，能够观察到晶片表面的原子台阶，可见表面质量进一步提高。样品1、样品2 抛光后SiC 晶片原子台阶非常清晰，并且没有观察到划痕，说明机械抛光产生的变质损伤层已经全部去除。样品3 抛光后SiC 表面原子台阶较为模糊，且在原子力显微镜下捕捉到划痕。结合图8、图9，认为使用样品3 机械抛光后的表面变质损伤层大于1 μm，CMP 后并没有完全去除。4 结论 研究了相同金刚石微粉粒径下，微粉颗粒的分布及微观形状对SiC 晶片机械抛光去除率和表面粗糙度的影响。微粉粒径分布结果和抛光后AFM 表面形貌观察结果表明，金刚石微粉粒径分布越集中，经抛光后的SiC 晶片表面粗糙度越低; 金刚石微粉粒度均匀性分散会降低晶片的去除率。金刚石微粉SEM 观察结果表明，金刚石微粉颗粒棱角越鲜明，SiC 晶片机械抛光的去除率越高。综合抛光质量和去除率，选取样品2金刚石微粉进行SiC 晶片机械抛光，去除率可达到36.2 nm/min，SiC 晶片机械抛光后表面粗糙度Ｒa 为0.939 nm。经过CMP 去除1 μm 后，晶片最终粗糙度可达到Ｒa 为0.0855 nm。【好文分享】不管你在哪里读到有知识，有价值的好文章，请记得随手发给磨聊磨聚，实体类企业仅接受技术科普类文章，第三方服务公司仅接受资讯类文章，谢绝硬广投稿地址，好文章与全行业分享【行业服务】个人微信号：alwaysonline91服务磨料磨具及超硬行业，促进行业发展做行业内最接地气的服务平台
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