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杜蕾斯O-焕觉震震环 一枚神奇的性爱戒指
杜蕾斯O-焕觉震震环，是一枚神奇的性爱“戒指”，男人戴上它，能够给女人带来更美好的性爱感觉，轻易俘获她的“花心”。下面我们就来认识一下杜蕾斯O-焕觉震震环。
什么是杜蕾斯O-焕觉震震环
杜蕾斯O-焕觉震震环的网络别称为：震动环、延时环等。其主要功能是延长男性性爱时间，其震动功能可以刺激女性敏感部位（阴蒂），使用的部位是套在男性阴茎上。
杜蕾斯O-焕觉震震环有何优点
让性爱震感欢聚：更强30%震动，长达20分钟震颤，就如同你的激情一样强烈；让给激情刺激环绕：独有延时套环，使他更能坚持；创新软胶凸起，全程给她强力刺激；让情侣的性生活快感环生：优质医用软胶，佩戴舒适，为爱侣双方震出前所未有的快感。
杜蕾斯震震环能令双方倍感刺激，体验激情震颤。附设开关，使用简单。可单独或配合避孕套同时使用。而且可以放入水中，让鸳鸯浴更加激情。注意事项：只适合成年人使用。此产品无避孕效果。使用前请阅读使用说明书。
杜蕾斯O-焕觉震震环达人体验
性爱达人们使用了震震环之后，纷纷表达了他们的好感。1.老公用另外一枚戒指重新俘获了我，持久的震感，让我们重燃激情；2.使用之后，老婆说，以后爱爱再也离不开它了；3.柔软的质地，超强的震感，对于优秀次使用情趣用品的我来说，简直是一次非凡的体验。当然，非常满意的是老婆喽，满脸洋溢着性福感。4. 带上新装备的小弟弟，很有点矿工的味道，只不过头上顶着的不是灯，而是一个震动环。伴随着震动感，小弟弟显得有些兴奋，比平常更加挺拔。
杜蕾斯O-焕觉震震环，一人佩戴，两人快乐。使用杜蕾斯O-焕觉震震环后，能够延长男性的性爱时间，并且给女性更多的性爱刺激，让双方都得到性爱满足。
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“O-Shot”让女性重获性福的神器疗法
全世界范围内，女性对性生活不满的怨言随处可见。科学家一直致力于女牌“伟哥”的研制，现在最新的“o-shot”疗法或许能让女性们更容易获得性高潮，并最终解绝他们的性福问题。
神器的“o-shot” 疗法
该方法需要从女性自己体内抽取血液，然后把其中的血小板分离出来。把分离得出的血浆注射到阴道中靠近阴蒂的部位，加速此处的新细胞生长，让这个区域变得更敏感。
这种方法来源于“吸血鬼整容术”，即抽取患者本身的血液，加以处理后再注射到面部，利用其中的生长因子除皱的方法。生长因子注射入面部后，皮下的干细胞被激活，新的组织迅速开始生长。新生长的组织中有全新的胶原蛋白和油脂组织，可保皮肤光滑，也会长出全新的血管，让皮肤的色泽显得健康。
“o-shot”相关研究的赞助者与该整容术的研制者是同一人，也就是查尔斯·瑞纳斯(charles runels)博士。吸血鬼整容术的原理在“o-shot”血液注射法中同样适用。“o-shot”血液注射的目的是使阴蒂鼓起，令阴道周边更加敏感。
坊间评价良好
研究人员称，使用了该方法的女性大多表示效果显著。他们认为，可确保女性高潮的敏感点并不固定，如果它真的存在的话，应该是位于阴道口附近。“o-shot”血液注射就是要提升这个位置的快感。
很多女性进入中老年期后或者生育孩子后，阴蒂的敏感度都下降了，有的女性甚至感觉下降得非常厉害。
进行注射时，先从患者身上抽出一管血液，然后将血液置入离心机中分离出血小板。富含血小板的血浆被直接注射到阴蒂下面，注射量是1毫升左右；然后再注射4毫升到阴道前端，即阴道和尿道的中间位置。
血浆中的成长因子几秒后就会发挥作用，最先出现的效果就是注射区域鼓起，后续还有很多长期的变化。据悉，现在已有约80名女性接受了该注射，其中85%左右称效果良好。有些患者在注射后的第14个月还能感受到其超凡的效果。
敢不敢用是个问题
“o-shot”血液注射一次花费约1500美金，现在还处于临床实验阶段。
研究者称：“使该疗法生效的关键是找对注射的位置。”他们给人们广泛认定的易引起高潮的敏感点注射时并未收到显著的效果。但是注射到他们研究出来的位置中时，效果却是惊人地显著和持久。
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浅析I/O处理过程与存储性能的关系
发表于：13年10月29日 10:28 [原创]
[导读]存储I/O（后文简称I/O）的处理过程就是计算机在存储器上读取数据和写入数据的过程。本文从I/O（Block）的流向介绍，试图解读整个I/O流与存储性能之间的些许联系。本文作为一篇存储基础的介绍文章，帮助读者了解看似简单的数据读写中的更多细节。
&性能&这个词可以说伴随着整个IT行业的发展，每次新的技术出现，从硬件到软件大多数情况下都围绕着性能提升而展开。&摩尔定理&指出CPU的处理速度每18个月会翻一番，但是进入21世纪的第二个十年来，似乎它的速度慢了下来。但是IT行业的各个行业领导者们，还是不断在计算机的性能寻求突破，继续挑战物理极限。细看存储行业，每款新的存储产品的推出，也围绕着如何更快、更好的服务前端服务器的I/O请求为中心。本文从I/O（Block）的流向介绍，试图解读整个I/O流与存储性能之间的些许联系。本文作为一篇存储基础的介绍文章，帮助读者了解看似简单的数据读写中的更多细节。存储I/O流与存储性能:存储I/O（后文简称I/O）的处理过程就是计算机在存储器上读取数据和写入数据的过程。这种存储器可以是非持久性存储（RAM），也可以是类似硬盘的持久性存储。一个完整的I/O可以理解为一个数据单元完成从发起端到接收端的双向的过程。在企业级的存储环境中，在这个过程会经过多个节点，而每个节点中都会使用不同的数据传输协议。一个完整的I/O在每个不同节点间的传输，可能会被拆分成多个I/O，然后从一个节点传输到另外一个节点，最后再经历相同的过程返回源端。下图演示了一个文件在经过整个I/O路径中每个节点所进行的变化（以EMC Symmetrix存储阵列为例）：整个I/O流经历一下几个节点：File System & 文件系统会根据文件与Block的映射关系，通过File System Manager将文件划分为多个Block，请求发送给HBA。HBA & HBA执行对这一系列的更小的工作单元进行操作，将这部分I/O转换为Fibre Channel协议，包装成不超过2KB的Frame传输到下一个连接节点FC Switch。FC Switch & FC Switch会通过FC Fabric网络将这些Frame发送到存储系统的前端口（Front Adapter）。Storage FA & 存储前端口会将这些FC 的Frame重新封装成和HBA初始发送I/O一致，然后FA会将数据传输到阵列缓存（Storage Array Cache）Storage Array Cache & 阵列缓存处理I/O通常有两种情况：1.直接返回数据已经写入的讯号给HBA，这种叫作回写，也是大多数存储阵列处理的方式。2. 数据写入缓存然后再刷新到物理磁盘，叫做写透。I/O存放在缓存中以后，交由后端控制器（Disk Adapter）继续处理，完成后再返回数据已经写入的讯号给HBA。Disk Adapter & 上述两种方式，最后都会将I/O最后写入到物理磁盘中。这个过程由后端Disk Adapter控制，根据后端物理磁盘的RAID级别的不同，一个I/O会变成两个或者多个实际的I/O。根据上述的I/O流向的来看，一个完整的I/O传输，经过的会消耗时间的节点可以概括为以下几个：CPU & RAM， 完成主机文件系统到HBA的操作。HBA & FA，完成在光纤网络中的传输过程。FA & Cache，存储前端卡将数据写入到缓存的时间。DA & Drive，存储后端卡将数据从缓存写入到物理磁盘的时间。下面的表中根据不同阶段的数据访问时间做了一个比较，一个8KB的I/O完成整个I/O流向的大概耗时。（表中的耗时根据每秒的传输数据整除获得，例如HBA到FA的速度有102,400KB/秒除以8KB得到78 &s）。根据表中的数据显而易见，I/O从主机的文件系统开始传输到存储阵列的缓存在整个这个I/O占比很小，由于机械硬盘的限制，最大的耗时还是在DA到物理磁盘的时间。如果使用闪存盘，那这个数据会大幅缩小，但是与其他几个节点的传输时间相比，占比还是比较大的。可以看到，存储阵列的缓存在整个I/O流中所起到的作用是至关重要。缓存的处理效率与大小，直接影响到I/O处理的速度。而然，在实际的环境中，即使存储阵列的缓存工作得当，主机的I/O也不会达到100 &s也就是0.1ms的水平，通常在1-3ms左右，就会认为I/O处理处于比较高性能的模式。原因就是因为另外两个因素&数据头处理&和&并发&。&1. &数据头处理&由于I/O流中每个I/O的数据组成并不是只包含数据，如下图所示，一个I/O除了数据以外还包含了Negotiation，Acknowledgement用来负责在I/O流中的每个节点传输和进行管理的。其中包含和TCP/IP一样的&Handshaking&信息以及流控制的信息，比如初始化传输，结束通讯等等。Header中则会定义一些例如CRC校验的信息，保证数据的一致性。所有这些数据的处理都会耗费一定的处理资源，增加I/O流的耗时。2.&并发&。由于I/O流整个过程中不可能只同时处理一个I/O，所有的I/O在HBA，FC，FA和DA处理的过程中都是已大量并发的情况下进行。而主要的耗时取决于I/O队列的等待，虽然存储阵列会在并发上进行优化。同一个处理Slice的处理还是会一队列形式进行。入下图所示，当存储同时面对多个I/O的处理的情况，总会有某个I/O会在整个流的最后出来，而增加I/O的耗时。所以说，在I/O流的每个节点出现瓶颈，或者短板的时候。I/O的耗时就会增加。综上所述，I/O流与存储性能的关系可以总结为以下几点：完成一个I/O流主要经历过的节点有HBA，FC网络，存储前端口FA，存储缓存、存储后端口，物理磁盘。而很个过程中最耗时的是物理磁盘。存储阵列的缓存的大小和处理方式直接影响到I/O流的性能，也是定义一个存储阵列优劣的重要指标之一。I/O的处理速度通常会远离理论值，原因多个并发量较大而造成的队列延迟。优化I/O的方式可以从多个节点入手，而最显著的效果是提升物理磁盘的速度。因为存储阵列会把尽可能多的数据放入缓存，而当缓存用满以后的数据交换则完全取决于物理磁盘的速度。适当选用合适的RAID级别，因为不同的RAID级别的读写比例大不相同，可能使得物理磁盘处理耗时几倍增加。参考：本文作者为EMC中文技术社区（）技术版主。如果您对本文有任何疑问和不同见解，也欢迎到EMC中文支持论坛参与讨论。
[责任编辑：枫林]
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